静电感应晶体管

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  电感应晶体管汉语拼音jìng diàng gǎn yìng jīng tǐ guǎn),(static induction transistor),源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管。简称SIT。1971年由日本西泽润一首创。70年代中期,它作为音频功率放大器件在日本得到迅速发展。SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时,靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒,由源极流向漏极的电流完全受此势垒控制。在漏极上加一定电压后,势垒下降,源漏电流开始流动。漏压越高,源漏电流越大,亦即源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的。SIT的特点是频率覆盖范围宽、功率覆盖范围大,广泛应用于高保真音响、电源、电机控制、通信机、雷达、导航和各种电子仪器中。同双极型晶体管相比,SIT具有线性好、噪声小,输入阻抗高、输出阻抗低,开关速度快,可靠性高,低温性能好等优点。